Главная
Каталог
Электроника
Электроснабжение и СКС
Оборудование и инструмент
Средства разработки электроники
Телекоммуникации и связь
Дом и сад
Разное
Электроника
Электронные компоненты
Электромеханические компоненты
Акустические компоненты
Оптоэлектроника
Корпусные и установочные изделия
Источники питания
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Тиристоры (триаки)
Диоды
Полупроводниковые модули
Конденсаторы
Резисторы
Резонаторы, генераторы и фильтры
Дроссели и индуктивности
Ферритовые изделия, каркасы и наборы
Компоненты подавления ЭМП
Трансформаторы
Устройства защиты, предохранители
Датчики
Радиолампы
Наборы компонентов
Полупроводниковые модули
Драйверы для IGBT модулей
MOSFET и IGBT модули
Диодно-тиристорные модули
Твердотельные ВЧ модули
MOSFET и IGBT модули

MOSFET и IGBT модули

Описание категории

Все фильтры 26

Infineon Technologies

FP40R12KT3, Модуль IGBT

Доставка 1-2 недели

8 449,11 ₽

В корзине

Mitsubishi Electric

PM50RL1B120, 1200V 50A 5-gen (L1-Series)

Доставка 2-4 рабочих дня

9 397,71 ₽

В корзине

Mitsubishi Electric

CM450DX-34T#310G, 1700 V T-Series NX-Type, модуль.

Доставка 2-4 рабочих дня

9 538,41 ₽

В корзине

Mitsubishi Electric

CM400HA-24A#300G, 1 IGBT 1200V 400A 5-gen (A-Series)

Доставка 2-4 рабочих дня

10 340,83 ₽

В корзине

Mitsubishi Electric

PM100CLS120, 6 IGBT 1200V 100A 5-gen (L-Series)

Доставка 2-4 рабочих дня

10 770,29 ₽

В корзине

Mitsubishi Electric

PM50CL1B120#300G, модуль IPM L1-Series

Доставка 2-4 рабочих дня

12 250,89 ₽

В корзине

STARPOWER

GD450HFY120C6S, Силовой модуль, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, 1200V/450A 2 in one-package

Доставка 2-4 рабочих дня

12 503,20 ₽

В корзине

Mitsubishi Electric

CM450DX-24S, 2 IGBT 450A 1200V NX6

Доставка 2-4 рабочих дня

13 115,30 ₽

В корзине

STARPOWER

GD300HFY120C6S, IGBT модули 1.2KV 480A 150DEG C 1.613KW, Advanced Trench FS Low Loss , аналог CM300D

Доставка 1-2 недели

13 122,60 ₽

В корзине

Распродажа

Littelfuse

MG12200D-BA1MM, IGBT-модуль сдвоенный (1200В 200А)

Доставка в течение 1 дня

13 673 ₽

14 980 ₽

В корзине

Mitsubishi Electric

CM400DY-34T, CM400DY-34T#300G

Доставка 2-4 рабочих дня

14 426,84 ₽

В корзине

STARPOWER

GD600HFY120C6S, Силовой модуль, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, 1200V/600A 2 in one-package

Доставка 2-4 рабочих дня

от 17 039,76 ₽

В корзине

Mitsubishi Electric

CM75TU-24F, 6 IGBT RTC 1200V 75A 4-gen (F-Series)

Доставка 1-2 недели

17 478,43 ₽

В корзине

Mitsubishi Electric

PM25RL1C120, 7 IGBT 1200V 25A 5-gen (L1-Series)

Доставка 2-4 рабочих дня

18 988,58 ₽

В корзине

Mitsubishi Electric

CM400DY-12NF, 2 IGBT 600V 400A 5-gen (NF-Series)

Доставка 2-4 рабочих дня

20 805,64 ₽

В корзине

Mitsubishi Electric

CM1000DXL-24S, 2 IGBT 1000A 1200V NX6

Доставка 2-4 рабочих дня

21 461,41 ₽

В корзине

Infineon Technologies

FF400R12KE3HOSA1 IGBT модуль FF400R12KE3 SP000100781 INF

Доставка 1-2 недели

21 584,82 ₽

В корзине

Mitsubishi Electric

CM800DX-24T1, модуль

Доставка 2-4 рабочих дня

23 544,71 ₽

В корзине

Mitsubishi Electric

PM200DV1A120, 1200V 200A (V1-Series)

Доставка 2-4 рабочих дня

23 958,09 ₽

В корзине

Mitsubishi Electric

PM75RL1A120#300G, модуль 7 IGBT 1200В 75A 5 поколение L1 серия

Доставка 2-4 рабочих дня

27 067,60 ₽

В корзине

IGBT модули — это силовая сборка, основу которой составляют IGBT-транзисторы - полупроводниковые приборы, сочетающие в себе как биполярный, так и полевой транзисторы. Купить IGBT модули можно в интернет-магазине «Созвездие». На всю поставляемую продукцию предоставляется гарантия.

MOSFET и IGBT-модули управляют потоком носителей заряда с помощью создания электрического поля затвора, то есть благодаря прилагаемому к затвору напряжению.

Если IGBT-транзистор находится в состоянии open, то рабочий ток течет по переходу p-n. В модулях MOSFET ток идет каналом сток/исток с резистивным типом. Возможности для рассеивания мощности у них различны:

MOSFET-модуль имеет рассеиваемую мощность, которая пропорциональна квадрату канального тока и сопротивлению канала.
IGBT (БТИЗ) — мощность, которая пропорциональна канальному току в 1-й степени и напряжению насыщения коллектор/эмиттер.

Для снижения потерь на ключе уместен будет выбор MOSFET-модуля с минимальным сопротивлением канала. Но следует помнить: чем выше температура полупроводника, тем выше сопротивление и затрата на нагревание. В IGBT-модулях с повышением температуры напряжение насыщения ниже, затраты на нагревание — тоже. Динамические характеристики в последних ограничены, как и предельная рабочая частота.

Интернет-магазин «Созвездие» приглашает к сотрудничеству юридических и частных лиц. Мы реализуем высококачественные электронные компоненты выгодно оптом и в розницу. Покупка возможна по безналу, с оформлением на доставку или самовывоз. Дешевые радиодетали от лучших мировых производителей — товары с гарантийными документами ждут вас!